原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种生产外延涂覆的单晶硅半导体晶圆的方法，该方法包括：在坩埚中提供硅的熔体；通过CZ方法，以拉制速度v从熔体的表面拉制出硅的单晶，其中在单晶中包含了氧和硼，而单晶中的氧的浓度不小于6.4×1017atoms/cm3且不大于8.0×1017atoms/cm3，并且单晶的电阻率不小于10mΩcm且不大于25mΩcm，其中没有具有氮和碳的熔体的掺杂；在拉制由热阻挡件环绕的硅的单晶期间，对熔体施加CUSP磁场；控制拉制速度v和单晶与熔体之间的相界处的轴向温度梯度G，使得系数v/G不小于0.13mm2/℃
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117836475A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202280055731.9(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司
文档评论（0）