具有沟槽内部间隔物的全环栅场效应晶体管及其制造方法.pdfVIP

具有沟槽内部间隔物的全环栅场效应晶体管及其制造方法.pdf

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本公开揭露了一种全环栅场效应晶体管及其制造方法，该全环栅场效应晶体管不仅能够抑制在衬底的下端中发生穿通和电流从源区/漏区直接泄漏到沟道的下端中，还能够通过形成沟槽内部间隔物(TIS)来促进衬底的热量释放，并且因此防止源区/漏区杂质扩散到衬底中。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117836953A

(43)申请公布日2024.04.05

(21)申请号202280056308.0(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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