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半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件.pdfVIP

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件.pdf

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    本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一形成有鳍状结构的衬底；其中，鳍状结构包括在第一方向上排布的器件区和场区；去除鳍状结构中位于场区的第一部分，保留场区的第二部分；基于鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，第一半导体结构包括第一源漏结构、第一源漏金属和第一层间介质层；倒片并去除衬底，以暴露鳍状结构的下部；去除场区的第二部分，以暴露第一层间介质层；基于鳍状结构的下部，形成第二半导体结构，第二半导体结构包括第二源漏结构、第二源漏金属和第二层间介质层；第一层间介

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117832173A

    (43)申请公布日2024.04.05

    (21)申请号202311740316.X

    (22)申请日2023.12.18

    (71)申请人北京大学

    地址100871

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