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本发明的一方面涉及一种半导体装置的制造方法，其依次包括：在基板上涂布树脂组合物并干燥而形成树脂膜的工序；加热树脂膜而获得树脂固化膜的工序；在树脂固化膜的表面上通过溅射而形成金属种子层的工序；在金属种子层的表面上形成具有配线图案形成用的开口部的抗蚀剂图案的工序；在金属种子层的表面的从抗蚀剂图案露出的区域，通过电解镀敷形成具有配线宽度3μm以下、配线间距离3μm以下的配线图案的金属层的工序；去除抗蚀剂图案的工序；及去除通过抗蚀剂图案的去除而露出的金属种子层的工序，树脂固化膜的交联密度为0.1×10‑
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117836927A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202280057065.2(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司
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