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SiC粉体的制备装置和SiC粉体的制备方法.pdfVIP

SiC粉体的制备装置和SiC粉体的制备方法.pdf

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    本发明提供了一种高纯度SiC粉体的制备装置和高纯度SiC粉体的制备方法，本发明首先在立式生长炉的内部顶端装载纳米级SiC粉体作为籽晶，其次，将立式生长炉的上部腔体的温度加热至生长温度，再次，通过第一气体预备室将第一载气和/或物料气体通入至上部腔体中，再次，通过第二载气将籽晶吹落至反应腔室中，籽晶受向上运动气流的作用悬浮在反应腔室中，物料气体在高温下发生化学反应，并以籽晶为形核中心异相形核成高纯度的毫米级SiC粉体，最终，通过粉体收集器收集上述毫米级SiC粉体，通过上述方法制备的碳化硅粉体纯度高、

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117821932A

    (43)申请公布日2024.04.05

    (21)申请号202311765621.4

    (22)申请日2023.12.20

    (71)申请人吉盛微（武汉）新

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