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本发明涉及一种相变存储器控制方法及其操作系统、PCM控制器，属于存储器技术领域。控制方法包括：在存储块读操作期间，对其中相变存储单元进行读数据操作并对处于RESET态且阻值低于退火阈值的相变存储单元触发对应的退火信号；在存储块空闲期间，控制其中已触发退火信号的相变存储单元执行退火操作，对写指令中需要将RESET态转换为SET态的相变存储单元进行预SET操作；在存储块写操作期间，对写指令中需要将处于SET态转换为RESET态的相变存储单元进行RESET操作。通过该方法，可以准确判断退火时机且同时优
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117831588A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311769858.X
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人华中科技大学
地址430074
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