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半导体装置.pdfVIP

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  • 2024-04-06 发布于四川
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半导体装置.pdf

    此处所述的一些实施方式包括半导体装置，其包括：多个通道层，位于一半导体基板上，其中所述通道层的配置方向垂直于该半导体基板；一栅极结构，包覆每一所述通道层；以及一源极/漏极区，与所述通道层与该栅极结构相邻且包括：一第一晶种层，包括一第一晶种材料于所述通道层的一或多者的末端上；一第二晶种层，包括一第二晶种材料于所述通道层的一或多者的末端上的该第一晶种材料上；一第一外延层，位于该第一晶种层与该第二晶种层上；以及一第二外延层，位于该第一外延层上。

    (19)国家知识产权局

    (12)实用新型专利

    (10)授权公告号CN220731537U

    (45)授权公告日2024.04.05

    (21)申请号202321489179.2H01L29/45(2006.01)

    (22)申请日2023.06.

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