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2024-04-07 发布于四川
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一种半导体结构，包括第一晶体管，第一晶体管包括从基板突出并由隔离特征隔开的第一鳍片和第二鳍片、在第一鳍片和第二鳍片的通道区上方的第一栅极结构、设置并跨越第一鳍片和第二鳍片的第一源极/漏极特征。半导体结构还包括第二晶体管，第二晶体管包括从基板突出并由隔离特征隔开的第三鳍片和第四鳍片、在第三鳍片和第四鳍片的通道区上方的第二栅极结构、设置并跨越第三鳍片和第四鳍片的第二源极/漏极特征。半导体结构还包括鳍片隔离结构，鳍片隔离结构设置在第一栅极结构和第二栅极结构之间，并沿着平行于第一栅极结构和第二栅极结构的

(19)国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)授权公告号CN220731535U

(45)授权公告日2024.04.05

(21)申请号202322073076.4

(22)申请日2023.08.03

(30)优先权数据

17/881,4302022

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