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第50卷第1期北京工业大学学报Vol.50No.1
2024年1月JOURNALOFBEIJINGUNIVERSITYOFTECHNOLOGYJan.2024
引用格式:金冬月,曹路明,王佑,等.软击穿对压控磁各向异性磁隧道结及其读电路性能影响[J].北京工业大学学报,
2024,50(1):10鄄17.
JINDY,CAOLM,WANGY,etal.Effectofsoftbreakdownontheperformancesofvoltage鄄controlledmagnetic
anisotropymagnetictunneljunctionanditsreadingcircuits[J].JournalofBeijingUniversityofTechnology,2024,50(1):
10鄄17.(inChinese)
软击穿对压控磁各向异性磁隧道结及其
读电路性能影响
1121111
金冬月,曹路明,王摇佑,张万荣,贾晓雪,潘永安,邱摇翱
(1.北京工业大学信息学部,北京摇100124;2.北京航空航天大学合肥创新研究院,合肥摇230013)
摘摇要:为了解决软击穿导致的压控磁各向异性磁隧道结(voltage鄄controlledmagneticanisotropymagnetictunnel
junction,VCMA鄄MTJ)及其读电路性能下降的问题,在对VCMA鄄MTJ软击穿机理深入分析的基础上,修正了VCMA鄄
MTJ的电学模型,设计了一种具有固定参考电阻的VCMA鄄MTJ读电路和一种具有参考电阻调控单元的VCMA鄄MTJ
读电路,研究了软击穿对VCMA鄄MTJ电阻R、隧穿磁阻比率M、软击穿时间T以及VCMA鄄MTJ读电路读错误率的ts
影响。结果表明:软击穿的出现会导致R和M均随应力时间t的增加而降低,T随氧化层厚度t的增大而缓慢增
tsox
加,却随脉冲电压V的增大而迅速减少,与反平行态相比,平行态的T更短且M降低50%所需时间更少;具有固定
bs
参考电阻的VCMA鄄MTJ读电路可有效避免读“0冶错误率的产生,但读“1冶错误率却随t的增加而上升,而具有参考
电阻调控单元的VCMA鄄MTJ读电路可在保持读“0冶正确率的同时,对读“1冶错误率改善达54%,在一定程度上削弱
了软击穿对VCMA鄄MTJ读电路的影响。
关键词:压控磁各向异性;磁隧道结;软击穿;应力时间;读电路;参考电阻调控单元
中图分类号:TN389;TN47文献标志码:A文章编号:0254-0037(2024)01-0010-08
doi:10.11936/bjutxb2022010011
EffectofSoftBreakdownonthePerformancesofVoltage鄄controlled
MagneticAnisotropyMagneticTunnelJunctionandIts
ReadingCircuits
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