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使用牺牲蚀刻盖层的高深宽比特征的介电间隙填充.pdfVIP

使用牺牲蚀刻盖层的高深宽比特征的介电间隙填充.pdf

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    本发明描述了用于将材料沉积到高深宽比特征，多层堆叠件中的特征，具有正倾斜的侧壁的特征，具有负倾斜的侧壁的特征，具有内凹轮廓的特征和/或具有侧壁形貌的特征的方法和设备。方法包括将第一数量的材料(例如电介质(例如硅氧化物))沉积到特征中，并在衬底的场表面上形成牺牲护盔，蚀刻第一数量的材料中的一些以打开特征开口和/或使特征的侧壁平滑，并沉积第二数量的材料以填充特征。牺牲护盔可以是与沉积到特征中的第一数量的材料相同或不同的材料。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111344857A

    (43)申请公布日

    2020.06.26

    (21)申请号20188

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