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- 2024-04-10 发布于四川
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本申请涉及碳化硅新材料技术领域的一种坩埚装置，包括：坩埚本体，所述坩埚本体包括内壁，所述内壁的围设区域形成长晶区，所述长晶区包括第一工作区和第二工作区，所述第一工作区的工作温度大于所述第二工作区的工作温度；涂层，所述涂层覆盖所述内壁，所述涂层的厚度在所述第一工作区大于所述第二工作区。本申请的坩埚装置可以提升对坩埚装置整体的防护，提高坩埚装置内部碳化硅的长晶的品质。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117845336A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202311831851.6
(22)申请日2023.12.27
(71)申请人金华博蓝特新材料有限公司
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