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高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构与封装方法.pdfVIP

高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构与封装方法.pdf

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    本发明提供一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，包括：金属框架、MOS芯片、金属散热片、控制芯片、金属线、塑封料；所述金属框架设有一凹陷部；金属框架上预先制有线路，便于连接MOS芯片和控制芯片；在金属框架背面的凹陷部中倒装焊接有MOS芯片；MOS芯片与金属框架上的相应焊垫通过凸件连接；在MOS芯片的背面贴装有金属散热片；金属散热片与MOS芯片背面的漏极相连；在金属框架凹陷部所对应的正面突出部安装有控制芯片；控制芯片通过金属线与金属框架上相应焊垫连接；在金属框架正面、金属框架背面的凹陷部内、

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110164775A

    (43)申请公布日

    2019.08.23

    (21)申请号20191

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