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2024-04-10 发布于四川
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半导体结构的制备方法.pdf

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本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供芯片结构，芯片结构包括衬底、金属层、多个金属焊盘及介质层；衬底包括器件区域及焊盘区域；金属层位于器件区域内，且位于衬底上；多个金属焊盘均位于焊盘区域内，且间隔分布于衬底上；介质层覆盖器件区域及焊盘区域；对介质层进行预处理，以去除覆盖器件区域的部分介质层及位于金属焊盘上表面的部分介质层；对预处理后的介质层进行平坦化处理。在上述实施例的半导体结构的制备方法中，可以确保平坦化处理后，器件区域保留的介质层的厚度与焊盘区域保留的介质层的厚度差异较小，可以显著提

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117855035A

(43)申请公布日2024.04.09

(21)申请号202410059442.7

(22)申请日2024.01.15

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

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