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本发明公开了一种基于氮化物的3D集成忆阻器及其制备方法。所述3D集成忆阻器包括沿选定方向依次层叠设置的p型衬底、氮化物功能层和顶部电极。其中，所述p型衬底与所述氮化物功能层构成pn异质结构，所述顶部电极层的功函数与所述氮化物功能层的费米能级相匹配。本发明首次采用氮化物材料，发明的忆阻器为单一层叠结构，并与pn异质结构实现3D集成，能够有效避免忆阻单元之间的串扰问题，制备工艺简单，易集成，成本低，可与CMOS工艺兼容，非常适合工业化生产。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117858615A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410067730.7
(22)申请日2024.01.17
(71)申请人材料科学姑苏实验室
地址215
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