包含电阻的LDMOS器件.pdfVIP

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2024-04-10 发布于四川
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包含电阻的LDMOS器件.pdf

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本申请公开了一种包含电阻的LDMOS器件，包括：衬底，其中形成有DTI结构，从俯视角度观察，DTI结构为环形，DTI结构环绕的区域内形成有LDMOS器件；电阻，其形成于DTI结构上且其与衬底不接触；其中，LDMOS器件包括形成于衬底上的栅介电层、形成于栅介电层上的栅极以及形成于衬底中的掺杂区和重掺杂区，重掺杂区中掺入的杂质浓度大于掺杂区中掺入的杂质浓度。本申请通过在LDMOS的有源区外侧设置DTI结构，将电阻设置于DTI结构上，从而提高了电阻与衬底之间的隔离效果，降低了寄生MOS的开启风险，提高

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117855278A

(43)申请公布日2024.04.09

(21)申请号202410012142.3

(22)申请日2024.01.04

(71)申请人华虹半导体（无锡

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