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本申请公开了一种接地屏蔽层的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件，衬底中形成有STI结构；在衬底上形成刻蚀停止层，刻蚀停止层覆盖半导体器件和STI结构，刻蚀停止层用于后续形成的接触孔的刻蚀停止；通过RFPVD工艺在介质层上沉积形成低阻金属层，低阻金属层的阻值小于10Ω/sq；进行刻蚀，去除目标区域的低阻金属层，剩余的低阻金属层在STI结构上形成接地屏蔽层，接地屏蔽层是后续形成的电感与衬底之间的中间层。由于RF‑PVD工艺可以精准、灵活地控制接地屏蔽层的厚度，因此能够在保持低电阻的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117855193A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410014540.9
(22)申请日2024.01.04
(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司
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