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本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种在光子芯片上生长层状二硫化钨薄膜的方法和薄膜，包括以下步骤：以二硫化钨固体粉末为生长原材料，将所述生长原材料置于管式炉中的加热区，将需生长二硫化钨的光子芯片置于管式炉的保温区；向管式炉中通入保护气体，保护气体的流速为40‑80sccm，保护气体的气流方向为加热区向保温区；将二硫化钨固体粉末所在区域加热至二硫化钨生长温度，保温，实现层状二硫化钨薄膜在光子芯片上的生长；本发明避免生长有块状或者枝晶状的散射源，提高薄膜的尺寸。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117845167A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410048878.6
(22)申请日2024.01.12
(71)申请人中国人民解放军国防科技大学
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