SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法.pdfVIP

SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法.pdf

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本发明属于智能监测装置技术领域,公开了一种SiCMOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法,借助电流传感器判断负载电流方向,当负载电流反向流过待测器件且待测器件导通时,触发在线监测程序;使用电流源抽取待测器件输入电容的电荷,使待测器件栅极电压在恒定电流作用下不断降低,同时使用运算放大器构成微分运算电路实时测量dVgs/dt;比较器的参考值设置为Vref,当Ciss降低至Cref时,Vdif(dVgs/dt)增大至Vref,比较器输出电压Vcmp拉高,RS锁存器输出信号Q拉低,关断N‑MOSFE

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117849565A

(43)申请公布日2024.04.09

(21)申请号202311720609.1

(22)申请日2023.12.13

(71)申请人广东电网有限责任

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