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本发明公开了一种通用变流器电磁暂态建模方法，包括如下步骤：通用变流器物理等效建模，将桥式逆变器中所用的绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)等效为受控电流源，提升实时仿真效率；2)对通用变流器模型进行数学公式推导；3)考虑包含多次开关操作和重复初始化的电磁瞬态模拟插值算法，通过改进的插值算法提升上述等效模型的仿真精度。该方法可以提升电磁暂态仿真效率的同时确保仿真精度，有效优化仿真模型，去除不必要的细节和复杂性，可以减少仿真所需的计算资源
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117852464A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202311739793.4
(22)申请日2023.12.18
(71)申请人南京理工大学
地址210018
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