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2024-04-10 发布于四川
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一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有竖直堆叠的存储器单元。所述存储器单元中的每个存储器单元包含与电荷存储装置耦合的晶体管，并且所述晶体管中的每个晶体管具有能带隙大于2电子伏特的沟道材料。一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有沿竖直方向延伸的数位线和沿水平方向延伸的字线。所述存储器阵列包含存储器单元，其中所述存储器单元中的每个存储器单元由所述数位线之一和所述字线之一的组合唯一地寻址。所述存储器单元中的每个存储器单元包含具有GaP沟道材料的晶体管。所述晶体管中的每个晶体管具有通

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111742409A

(43)申请公布日2020.10.02

(21)申请号201880039837.3(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限

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