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2024-04-10 发布于四川
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本申请涉及半导体加工技术领域，公开一种晶圆及开槽方法。晶圆包括：硅基底层；电路层，设于硅基底层的表面；电路层包括芯片区和切割道区，切割道区位于相邻两个芯片区之间；多个凹槽，并排开设于切割道区且沿电路层厚度方向向电路层内部延伸；其中，多个凹槽中的两个凹槽对称开设于切割道区两侧边缘；多个凹槽内分别填充激光气化物料形成多个预制槽。本申请通过在晶圆预先设置凹槽，并在凹槽内添加激光气化物料形成预制槽，便于后期对晶圆开槽加工减小因激光开槽产生的应力。通过对应波长能量的激光光束对预制槽的晶圆进行开槽，使预制槽

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117855135A

(43)申请公布日2024.04.09

(21)申请号202410005292.1B23K26/38(2014.01)

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