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本发明公开了一种SiO2干法刻蚀后残留聚合物的消除方法，硅基体在SiO2干法刻蚀且去胶后依次进行等离子处理和湿法处理；等离子处理在干法刻蚀设备中进行，惰性气体作为物理轰击气体，CF4和/或O2作为与聚合物发生化学反应的气体，其中，惰性气体、CF4和/或O2的体积比为5:1:1，电源功率为300W，湿法处理在湿法槽中进行，清洗药液包括氢氟酸溶液，氢氟酸溶液的浓度为50:1，清洗温度为21℃，清洗时间为3～5min。先采用等离子处理顽固的聚合物，采用湿法除去前一步骤产生的新的聚合物，大大改善了硅基器
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117855028A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410037256.3
(22)申请日2024.01.10
(71)申请人四川广义微电子股份有限公司
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