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本发明提供一种窄谱带绿光、红光Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，采用一锅法制备，将Ag源、In源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶。本发明实现了半峰宽小于40nm的光致发光光谱；通过调控In、Ga的比例，实现了窄谱带绿光至红光范围量子点的合成，发光峰位在480nm‑680nm，拓宽了窄谱带发光范围，同时也实现了窄带发射的特性；引入少量的锌前驱体，抑制了表面缺陷和内部缺陷发光，实现量子荧光产率大于40％、窄带发射
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117866623A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311709939.0
(22)申请日2023.12.13
(71)申请人北京交通大学
地址100044
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