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微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件.pdfVIP

微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件.pdf

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    本申请的实施例提供了一种微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件，所述方法包括：提供一硅晶圆和一衬底基板，硅晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置有第一凹槽，第一凹槽的侧壁与第一表面垂直或近似垂直；将硅晶圆的第一表面与衬底基板进行键合，得到键合衬底；对键合衬底中的第二表面进行干法刻蚀，以在第二表面形成与第一凹槽连通的第二凹槽，第二凹槽的侧壁与第二表面垂直或近似垂直，第二凹槽的宽度不等于第一凹槽的宽度；分离刻蚀后的所述键合衬底中的硅晶圆和衬底基板，得到具有硅通孔结构的硅晶圆。本申请

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117865058A

    (43)申请公布日2024.04.12

    (21)申请号202311719577.3B81B7/02(2006.01)

    (22)申请日2023.12.1

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