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本发明属于光电技术领域，公开了一种集成转接板的高像素密度APD阵列芯片的制备方法，高像素密度APD阵列芯片包括转接板和高像素密度APD阵列。其中，转接板对APD阵列芯片既有支撑作用，又有电性能转接作用。APD阵列芯片的制备方法包括以下步骤：S1，正面主结掺杂；S2，背面深孔刻蚀；S3，绝缘层制备Ⅰ；S4，正面硅外延；S5，正面接触层掺杂；S6，背面填孔；S7，平坦化；S8，绝缘层制备Ⅱ；S9，电极制备；S10，正面增透层制备。本发明属于一种耗尽层达微米级厚度的高像素密度APD阵列芯片的制备方法。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117878132A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311662414.6
(22)申请日2023.11.30
(71)申请人合肥海图微电子有限公司
地址2
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