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本发明公开了一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法,涉及太阳能电池片电镀蚀刻技术领域,具体包括以下步骤:S01:去胶处理:对电镀后的电池片进行去胶处理;S02:反电解处理:对上述去胶后的电池片放入电镀铜的槽液中,通入适当电流,通电后电池片作为阳极,通过电荷移动,将电池片上的铜,转变成铜离子,氧化去除电池片上PVD铜种子层;S03:铜离子回收:在槽液中铜离子浓度达到一定量,开启正向电镀,用不锈钢板作为阴极,将槽液中铜离子电镀到不锈钢板上。本发明采用反电解的方法去除PVD铜种子层,是利用金属铜在得到
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117867631A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311770981.3
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人苏州皓申智能科技有限公司
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