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一种半导体结构及其制备方法.pdfVIP

一种半导体结构及其制备方法.pdf

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    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，该制备方法包括提供第一基底，然后在于第一基底上形成掩膜层，该掩膜层包括多个显露出第一基底的凹槽，最后再于第一表面同步沉积锗原子和锡原子，获得锗锡合金。通过将位于掩膜层内的凹槽设置为的深宽比不低于2:1，使得锗锡合金在外延生长的过程中，能够利用具有高深宽比的凹槽的侧壁限制穿透位错的生长，将穿透位错限制在凹槽内部，以降低锗锡合金内部穿透位错和缺陷的密度，提高锗锡合金的外延质量。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117878190A

    (43)申请公布日2024.04.12

    (21)申请号202410053248.8

    (22)申请日2024.01.15

    (71)申请人润马光能科技（金华）有限公司

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