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本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种碳化硅同质外延材料的制备方法及其生长室，方法包括：S1、刻蚀，S2、导入前体气体，S3、生长SiC薄膜，S4、生成纳米结构，S5、冷却和S6、表征；本发明在SiC薄膜生长过程中，引入NH3分解产生氮掺杂可以改变SiC材料的电学和光学性质，如用于光电器件和功率器件，引入N2作为气相掺杂源，可以改善SiC薄膜的结晶质量和降低缺陷密度，从而提高材料的性能和稳定性，通过引入N2生成氮化碳化硅(SiCN)纳米线可以具备独特的光学和电学性质，适
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117867654A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311837329.9
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人浙江芯科半导体有限公司
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