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一种深紫外发光二极管.pdfVIP

一种深紫外发光二极管.pdf

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    本发明提供的深紫外发光二极管首先通过在电流扩展层上沉积图形化绝缘层，图形化绝缘层至少暴露部分电流扩展层，且图形化绝缘层的表面不能外延生长AlGaN材料，之后，在电流扩展层上还沉积上表面具有多个坑洞的AlGaN膜层，在不影响后续生长的量子阱有源层以及电子阻挡层的晶体质量的同时，生长形成若干V型缺陷，从而使空穴更加容易进入量子阱有源层前几个阱之中，进而提高载流子注入效率，最终提高深紫外发光二极管的发光效率。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117878205A

    (43)申请公布日2024.04.12

    (21)申请号202311827154.3

    (22)申请日2023.12.27

    (71)申请人泉州三安半导体科技有限公司

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