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本发明属于电力电子技术领域，公开一种优化开关过冲及损耗的多阶段IGBT驱动电路，包括：dV/dt比较模块、dI/dt比较模块、控制器；其中，dV/dt比较模块用于识别IGBT开关阶段是否为关断电压上升阶段；dI/dt比较模块用于识别IGBT开关阶段是否为开通电流上升阶段或者关断电流下降阶段；所述控制器用于根据IGBT开关阶段和负载电流，调节IGBT栅极驱动信号占空比以调节IGBT开通速度或关断速度，调节dV/dt比较模块或dI/dt比较模块的比较阈值以调节IGBT栅极驱动信号控制时长。本发明实现
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117879314A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311841207.7
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人广州金升阳科技有限公司
地址5
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