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本发明涉及光伏技术领域，提供了一种针对半导体台阶式纳米柱阵列宽光谱吸收的设计方法，包括基于漏模共振和Mie理论获得台阶式纳米柱的直径范围；基于直径范围创建台阶式纳米柱的填充比FRglobal范围每段台阶的有效介质层，基于每段台阶的有效介质层和光吸收公式迭代计算台阶式纳米柱阵列中的短路电流密度Jsc，获得最大短路电流密度Jsc；基于最大短路电流密度Jsc，输出对应不同段的直径参数和周期P，周期P为相邻台阶式纳米柱的中心间距，输出的所述直径参数为台阶式纳米柱的最佳直径，输出的周期P为最佳周期P。该设
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117877634A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311637628.8G06F119/08(2020.01)
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