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一种半导体结构的制作方法及半导体结构.pdf

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    本发明提出了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成氧化物掩膜层；基于所述氧化物掩膜层，对所述衬底进行第一干法刻蚀，形成沟槽；对所述衬底、所述氧化物掩模层进行湿法清洗，得到至少一粘连结构，所述粘连结构包括：相邻设置的第一鳍片和第二鳍片；位于所述第一鳍片上的氧化物保护层，所述氧化物保护层还延伸至所述第二鳍片的上表面；空隙，位于所述第一鳍片、所述第二鳍片、所述氧化物保护层、所述衬底之间；进行第二干法刻蚀去除所述氧化物保护层。该方法可改善高深宽比图案结构形成过程

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117877972A

    (43)申请公布日2024.04.12

    (21)申请号202311764336.0

    (22)申请日2023.12.20

    (71)申请人物元半导体技术（青岛）有限公司

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