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2024-04-13 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成多个间隔排布的第一钝化层；于衬底内形成多个脊条，各脊条包括部分衬底，各脊条两侧壁为开设于衬底的凹槽；其中，第一钝化层位于脊条上，第一钝化层和脊条的总高度大于高度阈值；于衬底的表面和各第一钝化层的表面分别形成第二钝化层；于第二钝化层的表面形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行图形化处理，以露出第二钝化层远离脊条上的第一钝化层和第二钝化层；采用回流工艺使各凹槽内的第一光刻胶层沿脊条的侧壁回流，以覆盖脊条两侧壁的第二钝化层。本申请

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117878719A

(43)申请公布日2024.04.12

(21)申请号202410021778.4

(22)申请日2024.01.05

(71)申请人广州金升阳科技有限公司

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