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2024-04-13 发布于四川
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一种MIM电容结构及形成方法.pdf

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本申请公开了一种MIM电容结构及形成方法，形成方法包括：在衬底上依次形成TiN电极和介电层，其中，介电层形成在衬底上，并覆盖TiN电极；在介电层上形成第一金属电极，其中，第一金属电极在介电层的表面形成一暴露区，以在垂直于衬底表面的方向至少避让TiN电极的一部分；在第一金属电极和介电层上形成隔离层；形成第一导通孔和第二导通孔，其中，第一导通孔贯穿隔离层并与第一金属电极连接，第二导通孔在正对暴露区的位置贯穿隔离层和介电层并与TiN电极连接；在隔离层上形成第二金属电极和第三金属电极，其中，第二金属电极

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117878106A

(43)申请公布日2024.04.12

(21)申请号202410277887.2

(22)申请日2024.03.12

(71)申请人苏州苏纳光电有限

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