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本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构，包括：基底、第一平坦化层、第一隔离物、第二隔离物、第二平坦化层、接触孔和接触插塞。基底包括衬底和位于衬底上的相邻的两个栅极结构，衬底具有位于相邻的两个栅极结构之间的掺杂区。第一隔离物和第二隔离物之间的空间与相邻的两个栅极结构之间的空间大致对准。接触孔贯穿第二平坦化层和第一平坦化层；接触孔的一部分位于第一隔离物和第二隔离物之间，接触孔的另一部分位于相邻的两个栅极结构之间，且至少部分暴露出掺杂区。接触插塞设置于接触孔中，且与掺杂区电连接。所述半导
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117878096A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202410052810.5
(22)申请日2024.01.12
(71)申请人长电科技管理有限公司
地址20
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