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本公开提供了一种阶梯型场效应晶体管器件及其制备方法，其中阶梯型场效应晶体管器件包括：半导体基片；有源区，设置于基片中，有源区包括：屏蔽层、传输层、导电层、阶梯型掺杂区，其中，屏蔽层包括第一屏蔽部和第二屏蔽部，第一屏蔽部和第二屏蔽部呈阶梯排列，第一屏蔽部和第二屏蔽部之间具有间隙结构；阶梯型结型场效应晶体管区，设置于基片顶部；栅电极接触，覆盖于传输层上方，以构建传输层和导电层之间的电荷输运沟道；介质层；欧姆接触；以及源区金属层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117878154A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311677380.8
(22)申请日2023.12.08
(71)申请人复旦大学
地址200433
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