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本发明的实施例公开了一种上入光式红外传感器元件及其制造方法，所述上入光式红外传感器元件包括至少一个化合物半导体叠层，所述至少一个化合物半导体叠层能够检测波长大于等于1微米的红外线并输出表示该检测的电信号；含有IC电路的基板，所述IC电路对从所述至少一个化合物半导体叠层输出的电信号进行处理并进行运算以获得检测结果；粘结层，所述粘结层将至少一个化合物半导体叠层键合到含有IC电路的基板上。所述至少一个化合物半导体叠层的电极与IC电路的引线端电连接。本发明属于半导体技术领域。该上入光式红外传感器元件可在
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113644158A
(43)申请公布日2021.11.12
(21)申请号202110914145.2G01J5/22(2006.01)
(22)申请日20
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