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本发明涉及一种WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法，所述方法包括以下步骤：(1)采用电烙铁将芯片上的锡球加热至熔化，然后采用吸焊带吸除熔化后的锡球，得到去球后的芯片；(2)将步骤(1)得到的所述去球后的芯片进行碱蚀处理，然后清洗，得到去除PI胶后的芯片；(3)将步骤(2)得到的所述去除PI胶后的芯片进行研磨至RDL层金属与下层金属出现分离，然后剥削去除RDL层金属，得到处理后的芯片。本发明提供的方法不仅去球、去PI、去RDL的效果良好，而且能够解决现有化学溶液腐蚀法导致的下层金属过腐蚀风险
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117878005A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202310350687.0
(22)申请日2023.04.04
(71)申请人葛小龙
地址251411山
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