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2024-04-13 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供叠层结构和与叠层结构连接的有源区；有源区将叠层结构划分为沿第一方向排列的第一台阶区域和第二台阶区域；第一台阶区域和第二台阶区域均包括沿第一方向间隔排布的M个初始台阶结构；依次同时刻蚀第一台阶区域和第二台阶区域中远离有源区的前i个初始台阶结构，对应形成位于第一台阶区域中的M个第一台阶结构和第二台阶区域中的M个第一台阶结构；其中，沿远离有源区的方向，第一台阶结构在第三方向上的尺寸依次减小；位于第一台阶区域和第二台阶区域中远离有源区的第i个

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117881180A

(43)申请公布日2024.04.12

(21)申请号202310568389.9

(22)申请日2023.05.19

(30)优先权数据

17/963,4622022

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