Chapter 4 场效应管放大电路(1).ppt

编辑课件ppt编辑课件ppt§4.2场效应管放大电路FET放大电路的偏置电路与静态分析FET放大电路的动态分析三种类型放大电路的比较编辑课件ppt4.2.1偏置电路与静态分析1、自偏压共源放大电路直流通路如图所示自偏压偏置电路：由于栅极电流为零，故栅源电压UGS是由电阻R上压降通过Rg提供的。?因为UGS0，所以只能用于耗尽型FET。?电阻R可起稳定工作点的作用。编辑课件ppt场效应管放大电路Chapter4编辑课件ppt主要内容场效应晶体管场效应管放大电路编辑课件ppt§4.1场效应晶体管结型场效应三极管（JFET）绝缘栅场效应三极管（MOSFET）场效应三极管的参数讨论的问题：场效应管是通过什么方式来控制漏极电流的？编辑课件ppt场效应管（FiedlEffectTransistor——FET）是利用电场效应来控制的有源器件，它不仅兼有一般半导体管体积小、重量轻、耗电省、寿命长的特点，还具有输入电阻高（MOSFET最高可达1015Ω）、噪声系数低、热稳定性好、工作频率高、抗辐射能力强、制造工艺简单等优点。在近代大规模和超大规模集成电路以及微波毫米波电路中得到广泛应用。按结构，场效应管可分两大类：结型场效应管（JFET）绝缘栅型场效应管（IGFET）编辑课件ppt4.1.1结型场效应三极管（JFET）1、结型场效应三极管的结构在N型半导体硅片两侧扩散高浓度的P型区，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区连在一起构成栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。编辑课件pptNvGSvDSDSGiDP+P+2、JFET的工作原理vDS=0，|vGS|增大，导电沟道变窄，沟道电阻增大。沟道完全夹断时vGS=VP（VGS（off）），称夹断电压。现以N沟道为例说明其工作原理。1、vGS对iD的控制——控制导电沟道宽窄若vDS为一固定值，则iD将受vGS的控制。编辑课件pptvGS=0，vDS增加沿沟道将产生一电位梯度，导电沟道呈楔型，iD与vDS近似成正比。NvGSvDSDSGiDP+P+预夹断后，随vDS增加，夹断长度略有增加，iD几乎不随vDS增加而上升。结论：JFET是电压控制电流器件。2、vDS对iD的影响当两楔型相遇时，称预夹断。此时vGD=vGS?vDS=VPiD=IDSS—饱和漏极电流编辑课件ppt3、JFET的特性曲线（1）输出特性曲线。+?vGSvDSiD+?SGD以vGS为参变量，iD与vDS的关系在恒流区或饱和区，iD受vGS的控制，用作放大电路的工作区域，也称线性放大区。输出特性曲线编辑课件ppt（2）转移特性曲线以vDS为参变量，iD与vGS的关系，描述了输入电压对输出电流的控制作用。转移特性曲线+?vGSvDSiD+?SGD编辑课件ppt实验表明：在VP≤vGS≤0范围(恒流区)内，iD与vGS间呈平方律关系，即?为什么不讨论JFET的输入特性？栅-源间的PN结是反偏的，故输入端的电流近似为零。编辑课件ppt4.1.2绝缘栅场效应三极管N沟道增强型MOSFETN沟道耗尽型MOSFETP沟道耗尽型MOSFET各类FET的伏安特性曲线编辑课件ppt绝缘栅型场效应管中应用最多的是以二氧化硅作为金属（铝）栅极和半导体之间绝缘层，又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorFET)。MOSFET可分为增强型?N沟道、P沟道耗尽型?N沟道、P沟道编辑课件ppt结构1）结构N沟道增强型MOSFET在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区。栅极G源极S漏极D衬底B1、N沟道增强型MOSFET编辑课件ppt?栅源电压vGS的控制作用——形成导电沟道正电压vGS产生的反型层把漏-源连接起来，形成宽度均匀的导电N沟道，自由电子是沟道内的主要载流子。反型层刚形成时，对应的栅源电压vGS称为开启电压，用VT表示。2）工作原理编辑课件ppt?漏源电压vDS对漏极电流iD的控制作用?vGS≥VT，加vDS，形成iD，且iD与vDS基本成正比。因vDS形成电位差，使导电沟道为梯形。?vDS增大至vGD=vGS?vDSVT，沟道被预夹断（漏端