半导体物理学.docx

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、选择题。

电离后向半导体提供空穴的杂质是（）,电离后向半导体提供

电子的杂质是（）。

A.受主杂质B。施主杂质C.中性杂质

2.在室温下，半导体Si中掺入浓度为1014cm-3的磷杂质后，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（）,费米能级的位置

（）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为1.1X1015cm-3的

硼杂质，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），

费米能级的位置（）；如果，

此时温度从室温升高至550K，则

杂质半导体费米能级的位置（

）。（已知：室温下，n=1010cm-3；

550K时，n=1017cm-3

该用户很懒，什么也没介绍

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