双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应.pdfVIP

物理学报

Acta

Phys.

Sin.Vol.73,No.2(2024)026103

双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型

场效应管重离子单粒子效应

1)2)†1)3)1)2)

李洋帆

郭红霞

张鸿

白如雪

张凤祁

2)1)1)1)

马武英

钟向丽

李济芳

卢小杰

1)

(湘潭大学材料科学与工程学院,

湘潭411105)

2)

(西北核技术研究所,

西安710024)

3)

(工业和信息化部第五研究所,

电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室,

广州510610)

(2023

年9

月6日收到;

2023

年9

月26日收到修改稿)

本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管开展了不同源漏偏置电压下208

MeV锗离子辐照实验,

分析了器件产生单粒子效应的物理机制.

实验结果表明,

辐照过程中随着初始偏置电压的增大,

器件漏极电

流增长更明显;

在偏置电压为400

V时,

重离子注量达到9×10

ion/cm,

器件发生单粒子烧毁,

在偏置电压42

42

为500

V时,

重离子注量达到3×10

ion/cm,

器件发生单粒子烧毁,

单粒子烧毁阈值电压在器件额定工作电

压的34%

(400

V)以下.

对辐照后器件进行栅特性测试,

辐照过程中偏置电压为100

V的器件泄漏电流无明

显变化;

200

V和300

V时,

器件的栅极泄漏电流和漏极泄漏电流都增大.

结合TCAD仿真模拟进一步分析

器件单粒子效应微观机制,

结果表明在低偏压下,

泄漏电流增大是因为电场集中在栅氧化层的拐角处,

导致

–+

了氧化层的损伤;

在高偏压下,

辐照过程中N外延层和N衬底交界处发生的电场强度增大,

引起显著的碰撞

电离,

由碰撞电离产生的局域大电流密度导致晶格温度超过碳化硅的熔点,

最终引起单粒子烧毁.

关键词：双沟槽SiC

金属-氧化物-半导体型场效应管,

重离子辐照,

单粒子烧毁

PACS：61.82.Fk,

71.55.Eq,

73.20.–r,

85.30.TvDOI:10.7498/aps.73

用处于验证阶段,

由于空间环境中存在大量的高能

1

引言重离子,

SiC

MOSFET经重离子辐照后会发生单粒