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一种硅基光电阴极及其制备方法，光电阴极包括依次设置的p‑Si基底层、Cu2O层和保护层；p‑Si基底层与Cu2O层构造p‑pZ型异质结；保护层为苯乙炔铜，包覆在Cu2O表面形成保护层；制备方法为，p型硅片表面制绒，制备具有纳米金字塔形貌的p型硅片，在得到的p型硅片上电沉积Cu2O层，得到p‑Si/Cu2O，在得到的p‑Si/Cu2O上利用光辅助制备苯乙炔铜层，得到硅基光电阴极；本发明可以有效抑制Cu2O的光腐蚀，显著提高了Cu2O光电阴极的光电化学稳定性，具有较高的可见光响应和较高的电子‑空穴分
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117888134A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202410103295.9
(22)申请日2024.01.25
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