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本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种基于2D重叠判断的光刻热点检测方法，该方法包括以下步骤：根据芯片2D版图中的电路模块，划分出多个正交多边形，其中，基于预设分解方法对所述正交多边形进行矩形分解；根据芯片2D版图中划分出来的所述正交多边形，划分出多个匹配区域；确定待匹配芯片2D版图中的精确区域，以及由所述精确区域延伸出的模糊区域；基于预设匹配规则，在每一所述匹配区域中，将所述正交多边形与所述精确区域和/或所述模糊区域进行匹配判断，得到光刻热点检测结果。本发明提高了光刻热点检测的判断速度和匹配
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117891143A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202410193948.7
(22)申请日2024.02.21
(71)申请人广东工业大学
地址510062
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