一种一步刻蚀Cu/ITO薄膜的蚀刻液.pdfVIP

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  • 2024-04-17 发布于四川
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本发明公开了一种一步刻蚀Cu/ITO薄膜的蚀刻液,属于蚀刻液技术领域,蚀刻液包括如下重量百分比原料:过氧化氢12%‑21%;辅氧化剂0.4%‑1.6%;氟化物0.1%‑1.5%;螯合剂2%‑10%;稳定剂0.05%‑1%;缓蚀剂0.35%‑2%;pH调节剂0.1%‑2%;助剂0.05%‑0.2%;余量为水。其中,本发明核心:辅氧化剂、氟化物之间存在质量关系;螯合剂由质量比为1:4:3‑8的衣康酸、肉桂酸和阿魏酸混合而得;稳定剂为2‑氨基‑2‑羟甲基‑1,3‑丙二醇;缓蚀剂由质量比为3‑10:5的

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117887466A

(43)申请公布日2024.04.16

(21)申请号202410043035.7

(22)申请日2024.01.11

(71)申请人合肥中聚和成电子材料有限公司

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