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本发明提供一种超结半导体器件及其制造方法，超结半导体器件包括：衬底；第一外延层和第二外延层，形成于衬底上，第二外延层包括多层堆叠的子外延层，第一外延层比第二外延层更靠近衬底，或者，第二外延层比第一外延层更靠近衬底；沟槽填充结构和离子掺杂区，沟槽填充结构形成于第一外延层中，离子掺杂区形成于第二外延层中，沟槽填充结构包括掺杂的外延材料，沟槽填充结构与离子掺杂区至少部分对准，沟槽填充结构和离子掺杂区构成第一导电类型柱，相邻沟槽填充结构之间的第一外延层以及相邻离子掺杂区之间的第二外延层构成第二导电类型柱
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117894820A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202410294503.8
(22)申请日2024.03.15
(71)申请人芯联越州集成电路制造（绍兴）有限
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