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题目:槽形结构SOI器件的耐压与散热性能分析
摘要
本设计为槽形结构SOI器件的耐压与散热性能分析。纵向耐压新理论——介质场增强ENDIF(Enhanced
DIelectriclayerField）是针对近几年对纵向耐压的研究提出的另一理论。本设计根据ENDIF理论，构建出了介质层上具有界面电荷岛的新型SOI器件，该类器件是在介质层上界面处进行注入，形成一高浓度掺杂区，在纵向电场的作用下，介质层和顶层硅界面将形成反型电荷，我们将电场力分解成横向和纵向两个力，这些电荷受到未耗尽高掺杂区中电离施主杂质的库仑力以及来自纵向的电场力的综合作用被束缚于界面处，形成高浓度反型空穴，通
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