有色GB_协会标准-半导体洁净室 空气分子污染物（AMC）掺杂剂B和P测定 电感耦合等离子体质谱法 编制说明（讨论稿）.docx

协会标准《半导体洁净室空气分子污染物（AMC）掺杂剂B和P测定电感耦合等离子体质谱法》编制说明（讨论稿）

一、工作简况

1.1立项目的和意义

随着信息技术的飞速发展，我国半导体相关的工业洁净厂房市场规模大幅增长，而随着大规模集成电路芯片线宽不断变窄，超低浓度分子级别的气态化学污染物已经成为了影响产业发展和良品率的主要因素。空气分子污染物（AMC）即环境中有能力沉降于表面上形成单分子层(Monolayer)薄膜的气态化学污染物质，有机污染会引起生产工具中不利的影响，同时增加集成半导体器件、磁盘驱动、液晶显示器等高科技公司的生产成本，AMC是许多高新技术生产流程中关注的重点问题，其控制技术已经成为半导体等产品良率提升的必要手段。

国际半导体设备及材料协会在SEMIF21-1102中规定了洁净室中AMC水平分类的标准，该分类标准用于确定半导体洁净室的规格、洁净室内污染物的控制水平和测量设备的性能要求。该标准将AMC污染物分为4类：一是酸性污染物，包括盐酸、硝酸、硫酸、氢氟酸等；第二种是碱性污染物，主要是氨气；第三种是可凝性污染物，指常压下沸点大于室温且会在表面凝结的化学物质但不包括水；第四种是掺杂性污染物，可改变半导体电性能的化学元素，如硼、磷、砷和金属离子等。

确定半导体洁净室内AMC状况的方法是现场测试，但是由于半导体洁净室内AMC的体积分数极低，可以达到10-9甚至10-12级别，因此常规的民用建筑室内空气质量（IAQ）检测方法，如电化学仪器、分光光度法等已经无法准确测得半导体洁净室内AMC的实际浓度。由于环境控制属于厂家保密的技术范围，而且普通学者也很难有机会进入微电子洁净室内进行测试，因此，目前还鲜有文献对半导体洁净室内的AMC状况进行从建造到试运行全过程的现场测试研究。

1.2任务来源

针对AMC中掺杂性污染物B和P，国内外暂无确切相关标准，暂未规范标准化操作。但监控并控制AMC必不可少，现参照《室内环境检测仪器及应用技术》、《GB50591-2010洁净室施工及验收规范》及《JACANo.35-2003》利用电感耦合等离子体质谱法对AMC中掺杂剂B和P进行分析测定。该方法灵敏度高，速度快，可在几分钟内完成几十个元素的定量测定且谱线简单，干扰相对于光谱技术要少。样品的制备和引入相对于其他质谱技术简单，既可用于元素分析，还可进行同位素组成的快速测定。公司内部可提供技术、人员、环境、仪器设备等支撑此标准制定，对洁净室AMC中掺杂剂B和P进行监控，不断标准化至修订相关标准。

本次项目标准化对象为洁净室AMC中掺杂剂B和P。本标准利用纯水作为吸收液，恒定采样时间及流速进行洁净车间内空气采样，利用电感耦合等离子体质谱仪一次采样即可定量分析吸收液中阴阳离子也可以分析吸收液中的B和P。目前国内外暂无针对该项目检测项目的采样及测定的详尽标准，虽然标准内采样等步骤与《JACANo.35-2003》、《GB50591-2010洁净室施工及验收规范》标准有交叉，但是具体细节不尽相同。

二、主要工作过程

2.1起草阶段

本标准的制定工作由中环领先半导体科技股份有限公司承担。《环境空气洁净室AMC中掺杂剂B和P的测定电感耦合等离子体质谱法》项目通过了计划公示后，起草单位即组织成立了标准起草工作组，讨论并形成了制定工作计划及任务分工。2024年2月，起草工作组完成国家标准《环境空气洁净室AMC中掺杂剂B和P的测定电感耦合等离子体质谱法》的讨论稿，并提交给全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会秘书处。

2024年3月6日，全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会在南京主持召开了《环境空气洁净室AMC中掺杂剂B和P的测定电感耦合等离子体质谱法》的第一次工作会（讨论会），天津中环半导体股份有限公司、山东有研半导体材料有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司、新特能源股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、上海新昇半导体科技有限公司、青海芯测科技有限公司等10家单位的近30人参与了本次讨论会，会上将对该草案进行讨论，并会根据修改意见形成本标准的修改稿。

2.2预审、审定、报批计划

根据《中色协科字[2023]95号2023-039-T/CNIA》计划号任务，计划于2024年6月完成标准预审，2024年8月完成标准审定。预计2025年12月前完成报批。

2.3标准承研单位概况及起草人所做的工作

牵头单位中环领先半导体科技股份有限公司，前身是1958年组建的天津市半导体材料厂及1969年组建的天津市第三半导体器件厂，深耕半导体产业60余年，是中国规模较大的半导体材料研发生产单位，主要研发路线为CZ&FZ晶体双工艺，产品涵盖4-12英寸硅抛光片，外延片，以及SOI产品和Si