（高清版）T 43748-2024 微束分析 透射电子显微术 集成电路芯片中功能薄膜层厚度的测定方法.pdfVIP

ICS71.040.50

CCSN33

中华人民共和国国家标准

GB/T43748—2024

微束分析透射电子显微术

集成电路芯片中功能薄膜层厚度的

测定方法

Microbeamanalysis—Transmissionelectronmicroscopy—

Methodformeasuringthethicknessoffunctionalthinfilmsin

integratedcircuitchips

2024-03-15发布2024-10-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

GB/T43748—2024

目次

前言I

引言Ⅱ

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4符号和缩略语2

5方法原理2

6仪器设备3

7试样3

8试验步骤4

9测量结果的不确定度评定6

10试验报告6

ASiN7

附录(资料性)薄膜层厚度测量结果的不确定度评定示例

参考文献10

GB/T43748—2024

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC38)提出并归口。

本文件起草单位：广东省科学院工业分析检测中心、南方科技大学、胜科纳米(苏州)股份有限公司。

本文件主要起草人：伍超群、于洪宇、乔明胜、陈文龙、周鹏、邱杨、黄晋华、汪青、程鑫。

I

GB/T43748—2024

引言

功能薄膜材料及性能是先进集成电路(IntegratedCircuit,IC)制程中非常重要的基础性工艺技术

SiGaNSiC(Micro-

保障。在基芯片、或为基的宽禁带半导体功率及射频器件芯片、微小型发光二极管

Led)等微纳半导体元器件中，各类功能薄膜材料更具有显微结构复杂、化学组成多元的特点。先进集

G

成电路技术已经进入纳米技术时代。伴随着智能社会的临近以及5技术