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一种设备可包含包括多个串联连接的存储器单元串的存储器单元阵列、数据线、位于所述数据线与第一串联连接的存储器单元串之间的第一场效应晶体管，以及位于所述数据线与第二串联连接的存储器单元串之间的第二场效应晶体管，其中所述第一场效应晶体管的控制栅极连接到所述第二场效应晶体管的控制栅极，并且其中所述第一场效应晶体管的沟道经制造为具有第一阈值电压且所述第二场效应晶体管的沟道经制造为具有不同于所述第一阈值电压的第二阈值电压。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117898035A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202280058646.8(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限
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